一、光刻机行业概况
光刻机分为无掩模光刻机和有掩模光刻机。（1）无掩模光刻机可分为电子束直写光刻机、离子束直写光刻机、激光直写光刻机。电子束直写光刻机可以用于高分辨率掩模版以及集成电路原型验证芯片等的制造，激光直写光刻机一般是用于小批量特定芯片的制造。（2）有掩模光刻机分为接触/接近式光刻机和投影式光刻机。接触式光刻和接近式光刻机出现的时期较早，投影光刻机技术更加先进，图形比例不需要为1:1，减低了掩膜板制作成本，目前在先进制程中广泛使用。
随着曝光光源的改进，光刻机工艺技术节点不断缩小。光刻设备从光源（从最初的g-Line,i-Line发展到EUV）、曝光方式（从接触式到步进式，从干式投影到浸没式投影）不断进行着改进。
光刻机发展阶段分析
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光源是光刻机核心之一，光刻机的工艺能力首先取决于其光源的波长。以下是各类光刻机光源的具体参数：
各类光刻机光源的具体参数
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二、光刻机是晶圆制造产线中高投入型设备
IC前道光刻机技术最为复杂，光刻工艺是IC制造的核心环节也是占用时间比最大的步骤，光刻机是目前晶圆制造产线中成本最高的半导体设备。据统计，光刻设备约占晶圆生产线设备成本27%，光刻工艺占芯片制造时间40%-50%。
产线中晶圆制造设备投资额占比（单位：%）
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相关报告：华经产业研究院发布的《2019-2025年中国光刻机市场运行态势及行业发展前景预测报告》
三、光刻机行业竞争格局分析
ASML在技术更先进的EUV、ArFi、ArF机型市场占有率不断提升，且远大于Canon和Nikon。2017年ASML上述三种机型出货量总计为101台，市场份额占比为78.29%，到2018年ASML出货量增长到120台，市场份额约90%。Canon和Nikon在EUV、ArFi、ArF机型销售量远低于ASML，二者产品主要集中价值量更低的后道光刻机以及面板光刻机领域。
2018年Nikon、Canon、ASML前道光刻机市场销售量
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目前产线中光刻机主要依赖于进口，以国内产线长江存储为例，其光刻机全部来自于ASML和佳能。其中Arf光刻机全部由ASML供应，佳能主要供应技术难度相对较低的g线、i线光刻机及少部分KrF光刻机。中国企业技术目前与国外厂商仍有较大差距，不过上海微电子作为国内光刻机领军者，已经实现90nm制程，未来有望逐步实现技术突破。
ASML和佳能是长存两大光刻机供应商
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四、光刻机行业发展趋势分析
1965年摩尔发现：芯片制造商可以在保持相同成本的情况下，每2年将典型微处理器的晶体管数量增加一倍，并提高其性能，这一趋势已经持续了50多年，被称为摩尔定律。
摩尔定律代表了半导体产业近50年的发展趋势，即半导体更小、更强大、更便宜、更节能。在该原则的指导下，该行业已经经历了一系列的技术转型，芯片制作成本不断下降，光刻机的分辨率不断提高。光刻机波长不断缩短、制程节点不断提高，波长从436nm(g-Line)缩短到134nm(ArF-i)，然后缩短到13.5nm(EUV)；光刻系统满足的技术节点从0.5μm到45nm，然后到现在的5nm，未来技术节点还将继续提高到3nm、2nm。
光刻机行业发展趋势：继续摩尔定律
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